近日，武汉大学动力与机械学院周圣军、刘胜主编的氮化镓（GaN）基半导体光电子器件制造领域专著—《氮化镓基发光二极管芯片设计与制造技术》由科学出版社出版发行。

据著者周圣军和刘胜教授介绍，本书基于他们十多年从事GaN基发光二极管（Light-Emitting Diodes，LED）芯片设计与制造技术的研究成果和产业化经验，从理论和实践两个方面分别论述了GaN基LED芯片的设计与制造技术。全书共10章，内容包括：LED的发展历史与研究现状，LED工作原理与LED光学、电学和色度学参数，压电极化与量子限制斯塔克效应，蓝光/绿光/紫外LED外延结构设计与材料生长，LED芯片制造工艺，LED芯片电流扩展特性，水平结构/倒装结构/高压LED芯片设计和制造，LED芯片失效机理与可靠性分析，以及新型LED器件。本书题材新颖，内容丰富，论述深入浅出，并注重理论与实践相结合，可供从事氮化物半导体制造领域相关的科研人员、研究生和本科生，以及企业研发人员等使用。

中国科学院院士中科院半导体研究所王占国研究员、中国科学院院士清华大学雒建斌教授以及华灿光电股份有限公司总经理刘榕博士为该书作序。各位专家学者认为，该书的出版不仅对我国氮化物LED芯片的科学研究具有重要参考价值，而且对相关技术研发和工程应用具有实际指导作用。